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PMV50XPR

阶梯

美金

含税

1677+

$0.2907

¥2.2206

10000+

$0.2592

¥1.9803

100000+

$0.2171

¥1.6585

关税
  • 库存:3455
  • 起订量:1677
  • 倍数:1

货期:

大陆: 13-16工作日
香港: 10-13工作日

数量:

- +

合计:

¥3723.9462

  • 最小包装量:1
  • 批次:2301+

商品PMV50XPR规格参数

商品型号 :

PMV50XPR

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Nexperia(安世)

最小包装量 :

1

起订量 :

1677

批次 :

2301+

包装 :

--

库存 :

3455

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT); 定制卷带

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

3.6A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

1.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

60 毫欧@3.6A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

900mV@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

12 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

744pF@20 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

490mW(Ta),4.63W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-236AB

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

基本产品编号

PMV50

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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