PMGD280UN,115

商品型号 :

PMGD280UN,115

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Nexperia(安世)

最小包装量 :

1

起订量 :

2226

批次 :

2201+

包装 :

--

库存 :

300000

系列

TrenchMOS™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N-通道(双)

FET 功能

逻辑电平门

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

870mA

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

340 毫欧@200mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

0.89nC@4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

45pF@20V

功率 - 最大值

400mW

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装

6-TSSOP

基本产品编号

PMGD280

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99