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PMCM6501UNEZ

阶梯

美金

含税

667+

$0.7313

¥5.5863

1000+

$0.6744

¥5.1523

10000+

$0.6013

¥4.5932

100000+

$0.5038

¥3.8484

关税
  • 库存:50000
  • 起订量:667
  • 倍数:1

货期:

大陆: 13-16工作日
香港: 10-13工作日

数量:

- +

合计:

¥3726.0621

  • 最小包装量:1
  • 批次:2001+

商品PMCM6501UNEZ规格参数

商品型号 :

PMCM6501UNEZ

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Nexperia(安世)

最小包装量 :

1

起订量 :

667

批次 :

2001+

包装 :

--

库存 :

50000

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

8.7A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

1.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

21 毫欧@3A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

900mV@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

6.2 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1050pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

400mW

工作温度

150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

6-WLCSP(1.48x0.98)

封装/外壳

6-XFBGA,WLCSP

基本产品编号

PMCM6501

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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