PHK04P02T,518

商品型号 :

PHK04P02T,518

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Nexperia(安世)

最小包装量 :

1

起订量 :

462

批次 :

1901+

包装 :

--

库存 :

552213

系列

--

包装

散装

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

16V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

4.66A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

2.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

120 毫欧@1A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

600mV@1mA(典型值)

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

7.2 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

528pF@12.8 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

5W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-SO

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99