PHB18NQ10T,118

商品型号 :

PHB18NQ10T,118

类目 :

其它

品牌 :

NXP(恩智浦)/Freescale

最小包装量 :

1

起订量 :

248

批次 :

1101+

包装 :

--

库存 :

366

系列

TrenchMOS™

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

18A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

90 毫欧@9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

21 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

633pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

79W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

D2PAK

封装/外壳

TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB

ECCN

EAR99