NP82N04NDG-S18-AY

商品型号 :

NP82N04NDG-S18-AY

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

NEC(日电电子)

最小包装量 :

1

起订量 :

148

批次 :

1001+

包装 :

--

库存 :

1600

系列

--

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

40V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

82A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

4.2 毫欧@41A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

150 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

9000pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

1.8W(Ta),143W(Tc)

工作温度

175℃

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-263(MP-25SK)

封装/外壳

TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA

ECCN

EAR99