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IRL8114PBF

阶梯

美金

含税

210+

$2.3238

¥17.7521

500+

$2.0963

¥16.0141

1000+

$1.9338

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10000+

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¥13.1589

100000+

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¥11.0068

关税
  • 库存:1800
  • 起订量:210
  • 倍数:1

货期:

大陆: 13-16工作日
香港: 10-13工作日

数量:

- +

合计:

¥3727.941

  • 最小包装量:1
  • 批次:1801+

商品IRL8114PBF规格参数

商品型号 :

IRL8114PBF

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

210

批次 :

1801+

包装 :

--

库存 :

1800

系列

HEXFET®

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

90A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

4.5 毫欧@40A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.25V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

29 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2660pF@15 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

115W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220AB

封装/外壳

TO-220-3

REACH 状态

不受 REACH影响

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