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IRL6283MTRPBF

阶梯

美金

含税

257+

$1.9013

¥14.5244

500+

$1.7063

¥13.0347

1000+

$1.5781

¥12.0555

10000+

$1.407

¥10.7486

100000+

$1.1788

¥9.0056

关税
  • 库存:4800
  • 起订量:257
  • 倍数:1

货期:

大陆: 13-16工作日
香港: 10-13工作日

数量:

- +

合计:

¥3732.7708

  • 最小包装量:1
  • 批次:1401+

商品IRL6283MTRPBF规格参数

商品型号 :

IRL6283MTRPBF

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

International Rectifier

最小包装量 :

1

起订量 :

257

批次 :

1401+

包装 :

--

库存 :

4800

系列

HEXFET®,StrongIRFET™

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

38A(Ta),211A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

2.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

0.75 毫欧@50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.1V@100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

158 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

8292pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

2.1W(Ta),63W(Tc)

工作温度

-40℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

DIRECTFET™ MD

封装/外壳

DirectFET™ Isometric MD

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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