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IRF6810STRPBF

阶梯

美金

含税

323+

$1.5137

¥11.5639

500+

$1.3623

¥10.4069

1000+

$1.2563

¥9.5975

10000+

$1.1201

¥8.5567

100000+

$0.9385

¥7.1694

关税
  • 库存:4760
  • 起订量:323
  • 倍数:1

货期:

大陆: 13-16工作日
香港: 10-13工作日

数量:

- +

合计:

¥3735.1397

  • 最小包装量:1

商品IRF6810STRPBF规格参数

商品型号 :

IRF6810STRPBF

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

International Rectifier

最小包装量 :

1

起订量 :

323

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

4760

系列

HEXFET®

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

25V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

16A(Ta),50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

5.2 毫欧@16A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.1V@25µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

11 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1038pF@13 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

2.1W(Ta),20W(Tc)

工作温度

-40℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

DIRECTFET S1

封装/外壳

DirectFET™ 等容 S1

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

优惠券

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