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IRF6646TRPBF

阶梯

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  • 库存:245400
  • 起订量:218
  • 倍数:1

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大陆: 13-16工作日
香港: 10-13工作日

数量:

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合计:

¥3734.6452

  • 最小包装量:1
  • 批次:1801+

商品IRF6646TRPBF规格参数

商品型号 :

IRF6646TRPBF

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

International Rectifier

最小包装量 :

1

起订量 :

218

批次 :

1801+

包装 :

--

库存 :

245400

系列

HEXFET®

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

80V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

12A(Ta),68A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

9.5 毫欧@12A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.9V@150µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

50 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2060pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

2.8W(Ta),89W(Tc)

工作温度

-40℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

DIRECTFET™ MN

封装/外壳

DirectFET™ 等容 MN

ECCN

EAR99

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