IRFHE4250DTRPBF

商品型号 :

IRFHE4250DTRPBF

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

International Rectifier

最小包装量 :

1

起订量 :

180

批次 :

1401+

包装 :

--

库存 :

9000

系列

HEXFET®

包装

散装

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N-通道(双)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

25V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

86A(Tc),303A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

2.75 毫欧@27A,10V,0.9 毫欧@27A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.1V@35µA,2.1V@100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

20nC@4.5V,53nC@4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1735pF@13V,4765pF@13V

功率 - 最大值

156W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

32-PowerVFQFN

供应商器件封装

32-PQFN(6x6)

基本产品编号

IRFHE4250

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99