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IRF60DM206

阶梯

美金

含税

188+

$2.60

¥19.8625

500+

$2.34

¥17.8762

1000+

$2.1613

¥16.5107

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关税
  • 库存:12028
  • 起订量:188
  • 倍数:1

货期:

大陆: 13-16工作日
香港: 10-13工作日

数量:

- +

合计:

¥3734.15

  • 最小包装量:1
  • 批次:2101+

商品IRF60DM206规格参数

商品型号 :

IRF60DM206

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

International Rectifier

最小包装量 :

1

起订量 :

188

批次 :

2101+

包装 :

--

库存 :

12028

系列

StrongIRFET™

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

130A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

6V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

2.9 毫欧@80A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3.7V@150µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

200 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

6530pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

96W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

DirectFET™ Isometric ME

封装/外壳

DirectFET™ Isometric ME

ECCN

EAR99

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