IPB19DP10NMATMA1

商品型号 :

IPB19DP10NMATMA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

308

批次 :

2201+

包装 :

--

库存 :

16350

系列

OptiMOS™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

2.9A(Ta),13.8A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

185 毫欧@12A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@1.04mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

45 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2000pF@50 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

3.8W(Ta),83W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3

封装/外壳

TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB

基本产品编号

IPB19D

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99