IPD30N12S3L31ATMA2

商品型号 :

IPD30N12S3L31ATMA2

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

581

批次 :

2301+

包装 :

--

库存 :

4748

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

120V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

30A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

31 毫欧@30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.4V@29µA

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1970pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

57W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

湿气等级

1(无限)

产品状态

在售