H5N2305P-E

商品型号 :

H5N2305P-E

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Renesas(瑞萨)/Intersil

最小包装量 :

1

起订量 :

46

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

300

系列

--

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

230V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

35A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

700 毫欧@6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

105 nC@10 V

Vgs(最大值)

±30V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

60W(Tc)

工作温度

150℃

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-3PFM

封装/外壳

TO-3PFM,SC-93-3

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99