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FQU5N60CTU

阶梯

美金

含税

690+

$0.7073

¥5.4036

1000+

$0.6525

¥4.9845

10000+

$0.5816

¥4.4432

100000+

$0.4874

¥3.7232

关税
  • 库存:4040
  • 起订量:690
  • 倍数:1

货期:

大陆: 13-16工作日
香港: 10-13工作日

数量:

- +

合计:

¥3728.484

  • 最小包装量:1
  • 批次:1801+

商品FQU5N60CTU规格参数

商品型号 :

FQU5N60CTU

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

onsemi(安森美)/Fairchild

最小包装量 :

1

起订量 :

690

批次 :

1801+

包装 :

--

库存 :

4040

系列

QFET®

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

600V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

2.8A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

2.5 欧姆@1.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

19 nC@10 V

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

670pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

2.5W(Ta),49W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

IPAK

封装/外壳

TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA

ECCN

EAR99

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