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FF2MR12KM1HOSA1
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- 库存：280
- 起订量：1
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货期：
-
品牌：
-
分类：
-
封装：
AG-62MM
-
描述：
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray
- 最小包装量：1
- 批次：2201+
FF2MR12KM1HOSA1其他库存
商品FF2MR12KM1HOSA1规格参数
商品型号 :
FF2MR12KM1HOSA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
2201+
包装 :
--
库存 :
280
系列
CoolSiC™
包装
托盘
技术
碳化硅(SiC)
配置
2 个 N 通道(半桥)
FET 功能
--
漏源电压(Vdss)
1200V(1.2kV)
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
500A(Tc)
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
2.13 毫欧@500A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.15V@224mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1340nC@15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
39700pF@800V
功率 - 最大值
--
工作温度
-40℃~150℃(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
AG-62MM
基本产品编号
FF2MR12
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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