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FDME820NZT

阶梯

美金

含税

839+

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¥4.4247

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¥4.0813

10000+

$0.4778

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100000+

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关税
  • 库存:51000
  • 起订量:839
  • 倍数:1

货期:

大陆: 13-16工作日
香港: 10-13工作日

数量:

- +

合计:

¥3712.3233

  • 最小包装量:1
  • 批次:2201+

商品FDME820NZT规格参数

商品型号 :

FDME820NZT

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

onsemi(安森美)/Fairchild

最小包装量 :

1

起订量 :

839

批次 :

2201+

包装 :

--

库存 :

51000

系列

PowerTrench®

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

9A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

1.8V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

18 毫欧@9A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

8.5 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

865pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

2.1W(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

MicroFet 1.6x1.6 薄型

封装/外壳

6-PowerUFDFN

ECCN

EAR99

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