FDFMA2P853

商品型号 :

FDFMA2P853

类目 :

其它

品牌 :

onsemi(安森美)/Fairchild

最小包装量 :

1

起订量 :

819

批次 :

1801+

包装 :

--

库存 :

18838

系列

PowerTrench®

包装

散装

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

3A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

1.8V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

120 毫欧@3A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.3V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

6 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

435pF@10 V

FET 功能

肖特基二极管(隔离式)

功率耗散(最大值)

1.4W(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

6-MicroFET(2x2)

封装/外壳

6-VDFN 祼焊盘

ECCN

EAR99