BSP122,115

商品型号 :

BSP122,115

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Nexperia(安世)

最小包装量 :

1

起订量 :

785

批次 :

2201+

包装 :

--

库存 :

1770

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT); 定制卷带

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

200V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

550mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

2.4V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

2.5 欧姆@750mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2V@1mA

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

100pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

1.5W(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SOT-223

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

基本产品编号

BSP122

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99