BSP100,135

商品型号 :

BSP100,135

类目 :

其它

品牌 :

NXP(恩智浦)/Freescale

最小包装量 :

1

起订量 :

714

批次 :

1501+

包装 :

--

库存 :

19003

系列

TrenchMOS™

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

3.2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

100 毫欧@2.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.8V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

6 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

250pF@20 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

8.3W(Tc)

工作温度

-65℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SOT-223

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99