BSC084P03NS3EGATMA1

商品型号 :

BSC084P03NS3EGATMA1

类目 :

其它

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

453

批次 :

1801+

包装 :

--

库存 :

2370

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

14.9A(Ta),78.6A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

6V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

8.4 毫欧@50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3V@110µA

Vgs(最大值)

±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

4240pF@15 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

2.5W(Ta),69W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

湿气等级

1(无限)