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BSF083N03LQG

阶梯

美金

含税

679+

$0.7183

¥5.487

1000+

$0.6624

¥5.06

10000+

$0.5906

¥4.5118

100000+

$0.4948

¥3.7798

关税
  • 库存:6000
  • 起订量:679
  • 倍数:1

货期:

大陆: 13-16工作日
香港: 10-13工作日

数量:

- +

合计:

¥3725.673

  • 最小包装量:1

商品BSF083N03LQG规格参数

商品型号 :

BSF083N03LQG

类目 :

其它

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

679

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

6000

系列

OptiMOS™

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

13A(Ta),53A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

8.3 毫欧@20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.2V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

18 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1800pF@15 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

2.2W(Ta),36W(Tc)

工作温度

-40℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

MG-WDSON-2,CanPAK M™

封装/外壳

3-WDSON

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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