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SQJ459EP-T1_GE3

阶梯

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¥7.4419

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30+

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100+

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¥4.4607

500+

--

¥4.00

1000+

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¥3.7582

  • 库存:9497
  • 起订量:1
  • 倍数:1

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大陆: 2-4工作日

数量:

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合计:

¥7.4419

  • 最小包装量:3000

商品SQJ459EP-T1_GE3规格参数

商品型号 :

SQJ459EP-T1_GE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

3000

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

9497

系列

TrenchFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

52A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

18 毫欧@3.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

108 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

4586pF@30 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

83W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

基本产品编号

SQJ459

ECCN

EAR99

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