BSH205G2AR

商品型号 :

BSH205G2AR

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Nexperia(安世)

最小包装量 :

3000

起订量 :

5

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

2666

系列

TrenchMOS™

包装

卷带(TR);剪切带(CT); 定制卷带

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

2.6A(Ta)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

118 毫欧@2.6A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

900mV@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

7 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

421pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

610mW(Ta),10W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-236AB

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

基本产品编号

BSH205

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99