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MUN5330DW1T1G

阶梯

美金

含税

10+

--

¥0.6153

100+

--

¥0.5311

300+

--

¥0.4869

3000+

--

¥0.4531

6000+

--

¥0.4257

9000+

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¥0.4099

  • 库存:2538
  • 起订量:10
  • 倍数:10

货期:

大陆: 2-4工作日

数量:

- +

合计:

¥6.153

  • 最小包装量:3000

商品MUN5330DW1T1G规格参数

商品型号 :

MUN5330DW1T1G

类目 :

三极管(BJT)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

3000

起订量 :

10

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

2538

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

晶体管类型

1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

100mA

电压 - 集射极击穿(最大值)

50V

电阻器 - 基极 (R1)

1 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)

1 千欧

不同 Ic,Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)

3@5mA,10V

不同 Ib,Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)

250mV@5mA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值)

500nA

频率 - 跃迁

--

功率 - 最大值

250mW

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装

SC-88/SC70-6/SOT-363

基本产品编号

MUN5330

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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