SH63N65DM6AG

商品型号 :

SH63N65DM6AG

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ST(意法半导体)

最小包装量 :

200

起订量 :

200

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

200

系列

ECOPACK®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 个 N 通道(半桥)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

650V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

53A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

64 毫欧@23A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.75V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

80nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

3344pF@100V

功率 - 最大值

424W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

9-PowerSMD

供应商器件封装

9-ACEPACK SMIT

REACH 状态

受 REACH 影响

ECCN

EAR99