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IRFB4321PBF

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含税

1000+

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¥8.5037

2000+

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3000+

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¥8.3168

4000+

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  • 库存:5000
  • 起订量:1000
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货期:

大陆: 3-5工作日
香港: 2-4工作日

数量:

- +

合计:

¥8503.70

  • 最小包装量:1000
  • 批次:22+

商品IRFB4321PBF规格参数

商品型号 :

IRFB4321PBF

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1000

起订量 :

1000

批次 :

22+

包装 :

--

库存 :

5000

系列

HEXFET®

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

150V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

85A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

15 毫欧@33A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

110 nC@10 V

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

4460pF@50 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

350W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220AB

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

IRFB4321

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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