STGD4H60DF

商品型号 :

STGD4H60DF

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ST(意法半导体)

最小包装量 :

2

起订量 :

30

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

300

系列

H

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

600V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

8A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

16A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

1.95V@15V,3A

功率 - 最大值

75W

开关能量

68µJ(导通),45µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

35 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

35ns/121ns

测试条件

400V,3A,47 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

73ns

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

供应商器件封装

DPAK(TO-252)类型 C2

REACH 状态

受 REACH 影响

ECCN

EAR99