SI4534DY-T1-GE3

商品型号 :

SI4534DY-T1-GE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

5

起订量 :

50

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

540

系列

TrenchFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT); 定制卷带

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

N 和 P 沟道

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

6.2A(Ta),8A(Tc),3A(Ta),4.1A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

29 毫欧@5A,10V,120 毫欧@3.1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

11nC@10V,22nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

420pF@30V,650pF@30V

功率 - 最大值

2W(Ta),3.6W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装

8-SOIC

基本产品编号

SI4534

ECCN

EAR99