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FGY4L160T120SWD

阶梯

美金

含税

1+

$155.02

¥1287.2397

30+

$95.1683

¥790.2487

120+

$82.0651

¥681.4437

510+

$76.6418

¥636.4101

关税
  • 库存:316
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥1287.2397

  • 包装:管件
  • 最小包装量:30

商品FGY4L160T120SWD规格参数

商品型号 :

FGY4L160T120SWD

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

30

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

316

系列

--

包装

管件

IGBT 类型

场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

1200V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

200A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

640A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2V@15V,160A

功率 - 最大值

1500W

开关能量

4.2mJ(导通),5.9mJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

474 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

60.8ns/236.8ns

测试条件

600V,160A,4 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

264.1ns

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-4

供应商器件封装

TO-247-4L

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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