百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > SQ4080EY-T1_BE3
品牌:
分类:
封装:
8-SOIC
描述:
N-沟道 150 V 18A 7.1W 表面贴装 MOSFET SOIC -8
商品型号 :
SQ4080EY-T1_BE3
类目 :
品牌 :
VISHAY(威世)
最小包装量 :
2500
起订量 :
2500
批次 :
2346
包装 :
REEL
库存 :
--
系列
--
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
150V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
85 毫欧@10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
33 nC@10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1590pF@75 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
7.1W(Tc)
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
ECCN
EAR99
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