SIHU6N62E-GE3

商品型号 :

SIHU6N62E-GE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

50

起订量 :

50

批次 :

2336

包装 :

TUBE

库存 :

--

系列

--

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

620V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

6A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

900 毫欧@3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

34 nC@10 V

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

578pF@100 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

78W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

通孔

供应商器件封装

IPAK(TO-251)

封装/外壳

TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA

基本产品编号

SIHU6

ECCN

EAR99