百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > BUK963R3-60E,118
品牌:
分类:
封装:
D2PAK
描述:
N-沟道 60 V 3 mOhm 95 nC 表面贴装 TrenchMOS 逻辑电平 FET - TO-263
商品型号 :
BUK963R3-60E,118
类目 :
品牌 :
Nexperia(安世)
最小包装量 :
800
起订量 :
4800
批次 :
--
包装 :
STDMFR
库存 :
--
系列
TrenchMOS™
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
3 毫欧@25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V@1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
95 nC@5 V
Vgs(最大值)
±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
13490pF@25 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
293W(Tc)
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
基本产品编号
BUK963
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
阶梯
香港交货
大陆交货(含税)
库存: 400000
标准包: 800
增量: 1
批次: 26+
10+
--
¥5.342
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