百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > IRF123
品牌:
分类:
封装:
CAN3/4
描述:
Power Field-Effect Transistor 8A I(D) 80V 0.36ohm 1-Element N-Channel Silicon Metal-oxide Semiconductor FET TO-204AA
商品型号 :
IRF123
类目 :
品牌 :
International Rectifier
最小包装量 :
1
起订量 :
100
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
--
系列
--
包装
散装
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
400 毫欧@4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
15 nC@10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
600pF@25 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
40W(Tc)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-3
封装/外壳
TO-204AA,TO-3
REACH 状态
未明确供应商
ECCN
EAR99
阶梯
香港交货
大陆交货(含税)
库存: 498
标准包: 1
增量: 1
批次: 9201+
377+
$1.0945
¥8.5158
500+
$0.9851
¥7.6642
1000+
$0.9085
¥7.0686
10000+
$0.8099
¥6.3017
100000+
$0.6786
¥5.2798
关税
库存: 738
标准包: 302
增量: 302
302+
$1.10
¥8.5586
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