SCT018H65G3AG

商品型号 :

SCT018H65G3AG

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ST(意法半导体)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

36

系列

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包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

650V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

55A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

15V,18V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

27 毫欧@30A,18V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.2V@5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

79.4 nC@18 V

Vgs(最大值)

+22V,-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2124pF@400 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

385W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

H2PAK-7

封装/外壳

TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99