IMBF170R650M1XTMA1

商品型号 :

IMBF170R650M1XTMA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1000

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

163

系列

CoolSiC™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

1700V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

7.4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

12V,15V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

650毫欧@1.5A,15V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5.7V@1.7mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

8 nC@12 V

Vgs(最大值)

+20V,-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

422pF@1000 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

88W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-7-13

封装/外壳

TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA

基本产品编号

IMBF170

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99