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商品型号 :
CSD25201W15
类目 :
品牌 :
TI(德州仪器)
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
--
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
40 毫欧@2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V@250µA
Vgs(最大值)
-6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
510pF@10 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
1.5W(Ta)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
湿气等级
1(无限)
阶梯
香港交货
大陆交货(含税)
品牌: TI(德州仪器)
库存: 1086
标准包: 1
增量: 1
批次: 1001+
839+
$0.5811
¥4.4247
1000+
$0.536
¥4.0813
10000+
$0.4778
¥3.6378
100000+
$0.4003
¥3.0478
关税
品牌: TI(德州仪器)
库存: 2285
标准包: 1
增量: 1
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