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    百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > IAUCN04S7L014ATMA1

    场效应管(MOSFET)IAUCN04S7L014ATMA1采购_元器件采购商城
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    IAUCN04S7L014ATMA1

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    商品IAUCN04S7L014ATMA1规格参数

    商品型号 :

    IAUCN04S7L014ATMA1

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    Infineon(英飞凌)/Cypress

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    系列

    OptiMOS™ 7

    包装

    卷带(TR);剪切带(CT)

    FET 类型

    N 通道

    技术

    MOSFET(金属氧化物)

    漏源电压(Vdss)

    40V

    25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

    120A

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

    10V

    不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

    --

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    --

    Vgs(最大值)

    --

    FET 功能

    --

    功率耗散(最大值)

    --

    工作温度

    -55℃~175℃

    等级

    汽车级

    资质

    AEC-Q101

    安装类型

    表面贴装型

    供应商器件封装

    PG-TDSON-8-34

    封装/外壳

    8-PowerTDFN

    REACH 状态

    不受 REACH影响

    ECCN

    EAR99

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    • IAUCN04S7L014ATMA1_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      IAUCN04S7L014ATMA1

      品牌： Infineon(英飞凌)/Cypress

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： PG-TDSON-8-34

      库存： 1854

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    • IAUCN04S7L014ATMA1_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      IAUCN04S7L014ATMA1

      品牌： Infineon(英飞凌)/Cypress

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： PG-TDSON-8-34

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