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BSS670AHZGT116

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商品BSS670AHZGT116规格参数

商品型号 :

BSS670AHZGT116

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Rohm(罗姆)

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1

起订量 :

575

批次 :

2401+

包装 :

--

库存 :

1673

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

650mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

2.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

680 毫欧@650mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2V@10µA

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

47pF@30 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

200mW(Ta)

工作温度

150℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SST3

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

ECCN

EAR99

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