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RGT8BM65DGTL1

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商品RGT8BM65DGTL1规格参数

商品型号 :

RGT8BM65DGTL1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Rohm(罗姆)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

2491

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

650V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

12A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

12A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2.1V@15V,4A

功率 - 最大值

62W

开关能量

--

输入类型

标准

栅极电荷

13.5 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

17ns/69ns

测试条件

400V,4A,50欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

40ns

工作温度

-40℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

供应商器件封装

TO-252GE

ECCN

EAR99

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  • RGT8BM65DGTL1

    品牌: Rohm(罗姆)

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: TO-252GE

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    增量: 1

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  • RGT8BM65DGTL1

    品牌: Rohm(罗姆)

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: TO-252GE

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