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G3R60MT07J-TR

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商品G3R60MT07J-TR规格参数

商品型号 :

G3R60MT07J-TR

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

GeneSiC Semiconductor

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

500

系列

G3R™,LoRing™

包装

卷带(TR);剪切带(CT); 定制卷带

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

750V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

44A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

15V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

--

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

--

Vgs(最大值)

--

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

182W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-263-7

封装/外壳

TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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