GCMX020A120B2H1P

商品型号 :

GCMX020A120B2H1P

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

SemiQ

最小包装量 :

10

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

托盘

库存 :

8

系列

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包装

托盘

技术

碳化硅(SiC)

配置

4 N 沟道(全桥)

FET 功能

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漏源电压(Vdss)

1200V(1.2kV)

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

102A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

28 毫欧@50A,20V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@20mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

222nC@20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

5600pF@800V

功率 - 最大值

333W(Tc)

工作温度

-40℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

底座安装

封装/外壳

模块

供应商器件封装

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REACH 状态

受 REACH 影响

ECCN

EAR99