百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > DI006H03SQ
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货期:
品牌:
分类:
封装:
8-SO
描述:
MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A 8SO
商品型号 :
DI006H03SQ
类目 :
品牌 :
DIOTEC(德欧泰克)
最小包装量 :
1
起订量 :
4000
批次 :
--
包装 :
卷带(TR)
库存 :
3940
系列
--
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N 和 2 P 沟道(全桥)
FET 功能
--
漏源电压(Vdss)
30V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A (Ta),4.2A (Ta)
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
25mOhm@5A,10V,50mOhm@5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
11.7nC@10V,11.4nC@10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
590pF@15V,631pF@15V
功率 - 最大值
1.5W(Ta)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SO
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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库存: 3940
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增量: 4000
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