NP100P06PDG-E1-AY

商品型号 :

NP100P06PDG-E1-AY

类目 :

其它

品牌 :

Renesas(瑞萨)/Intersil

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

752

系列

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包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

6 毫欧@50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

300 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

15000pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

1.8W(Ta),200W(Tc)

工作温度

175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-263

封装/外壳

TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB

基本产品编号

NP100P06

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99