HP8ME5TB1

商品型号 :

HP8ME5TB1

类目 :

其它

品牌 :

Rohm(罗姆)

最小包装量 :

1

起订量 :

111

批次 :

2301+

包装 :

--

库存 :

2310

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

N 和 P 沟道

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

3A(Ta),8.5A(Tc),3A(Ta),8A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

193 毫欧@3A,10V,273 毫欧@3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

2.9nC@10V,19.7nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

90pF@50V,590pF@50V

功率 - 最大值

3W(Ta),20W(Tc)

工作温度

150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerTDFN

供应商器件封装

8-HSOP

ECCN

EAR99