百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > STGB40V60F
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货期:
品牌:
分类:
封装:
TO-263(D2PAK)
描述:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
商品型号 :
STGB40V60F
类目 :
品牌 :
ST(意法半导体)
最小包装量 :
1000
起订量 :
1000
批次 :
2429+
包装 :
--
库存 :
2000
系列
--
包装
卷带(TR);剪切带(CT); 定制卷带
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
80A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
160A
不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.3V@15V,40A
功率 - 最大值
283W
开关能量
456µJ(导通),411µJ(关断)
输入类型
标准
栅极电荷
226 nC
25℃ 时 Td(开/关)值
52ns/208ns
测试条件
400V,40A,10 欧姆,15V
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
供应商器件封装
TO-263(D2PAK)
基本产品编号
STGB40
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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