TPS1120D

商品型号 :

TPS1120D

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TI(德州仪器)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

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库存 :

--

系列

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包装

管件

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 个 P 沟道(双)

FET 功能

逻辑电平门

漏源电压(Vdss)

15V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

1.17A

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

180 毫欧@1.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

5.45nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

--

功率 - 最大值

840mW

工作温度

-40℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装

8-SOIC

基本产品编号

TPS1120

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99