STGW60H65DFB

商品型号 :

STGW60H65DFB

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ST(意法半导体)

最小包装量 :

1

起订量 :

3

批次 :

2346+

包装 :

--

库存 :

9

系列

--

包装

管件

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

650V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

80A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

240A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2V@15V,60A

功率 - 最大值

375W

开关能量

1.09mJ(导通),626µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

306 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

51ns/160ns

测试条件

400V,60A,5 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

60ns

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

供应商器件封装

TO-247

基本产品编号

STGW60

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99