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SPD04P10PGBTMA1
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货期：
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品牌：
-
分类：
-
描述：
场效应管, MOSFET, P沟道, 100V, 4A, TO-252
- 最小包装量：1
SPD04P10PGBTMA1其他库存
商品SPD04P10PGBTMA1规格参数
商品型号 :
SPD04P10PGBTMA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
1026
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
1 欧姆@2.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V@380µA
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
319pF@25 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
38W(Tc)
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
湿气等级
1(无限)
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